삼성전자가 경기도 평택캠퍼스 2라인에 약 8조원을 투자해 낸드플래시 생산라인을 구축한다.

지난달 9조원 규모의 초미세 극자외선(EUV) 파운드리 라인을 구축한다고 발표한 지 열흘만이다.

대규모 투자가 연이어 집행되며 삼성전자의 '초격차' 전략이 속도를 내고 있다. 삼성전자는 1일 평택캠퍼스 제2공장(P2)에 최첨단 V낸드플래시 생산라인을 구축한다고 밝혔다.

삼성은 지난달 평택 2라인에 EUV 파운드리와 함께 낸드플래시 생산을 위한 클린룸 공사에 착수했으며, 내년 하반기부터 5나노 이하 EUV와 함께 최첨단 V낸드 제품 양산을 시작할 계획이다.

삼성전자 관계자는 "인공지능(AI)·사물인터넷(IoT)·5세대 이동통신(5G) 보급에 따른 중장기 낸드 수요 확대에 대응하기 위해 이번 투자를 단행한다"며 "최근 비대면 생활양식 확산으로 이런 추세가 더욱 가속될 것으로 예상돼, 적극적인 투자로 미래 시장기회를 선점하기로 했다"고 설명했다. / 김자민 기자