삼성전자가 수조 원을 투입해 독자개발한 핵심 공정기술을 빼돌려 중국에서 반도체 제조업체를 세운 전직 임원이 구속 상태로 검찰에 넘겨졌다.

서울경찰청 산업기술안보수사대는 삼성전자 상무이사 출신인 최모씨(66)와 전직 D램 메모리 수석연구원 오모씨(60)를 구속 송치했다고 10일 밝혔다.

최씨와 오씨는 현재 중국 청두가오전(CHJS)에서 각각 대표와 공정설계실장직을 맡고 있다.

최씨는 2020년 중국 지방정부와 합작으로 반도체업체 청두가오전을 설립하면서 오씨 등 국내 전문인력을 대거 영입, 삼성전자의 메모리 반도체 핵심기술을 유출·부정사용한 혐의다.

오씨에게도 같은 혐의가 적용됐다.

최씨 등이 빼돌린 기술은 삼성전자가 독자개발한 18나노급·20나노급 D램 반도체 제조 기술이다.

삼성전자는 이들 기술을 개발하기 위해 각각 2조3천억 원, 2조 원을 들였다.

최씨 등은 이들 기술 관련 모든 단계의 공정을 아우르는 자료를 가져가 연구 및 제조공장 준공 1년3개월만인 2022년 4월 '시범 웨이퍼' 생산에 성공했다.

시범 웨이퍼는 기초 개발제품으로, 통상적으로 반도체 제조회사가 시범 웨이퍼를 생산하는데만 최소 4~5년이 걸린다.

삼성전자 상무, 하이닉스반도체(현 SK하이닉스) 부사장을 지낸 최씨는 2020년 9월 중국 지방정부로부터 자본금의 60％에 해당하는 4600억 원을 받아 청두가오전을 설립했다.

당시 청두가오전 측은 국내 기술인력에 이직 시 최소 2~3배 연봉을 높여주고 현지 체재비, 자녀 교육비 등을 추가로 제공하겠다고 제안한 것으로 알려졌다.

다만 청두가오전으로 이직한 이들은 2~3년 재직 후 장기휴직처리 등으로 사실상 해고됐으며 이직 당시 약속받은 혜택 또한 받지 못하고 있는 것으로 파악됐다.